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IRFL9014TRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFL9014TRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFL9014TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRFL9014.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 69050

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFL9014TRPBF
Vishay Siliconix - IRFL9014TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFL9014TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 1.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFL9014  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFL9014TRPBF

Attributs du produit IRFL9014TRPBF IRFL9110PBF IRFL9014 IRFL9110TR
Modèle de produit IRFL9014TRPBF IRFL9110PBF IRFL9014 IRFL9110TR
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 1.1A, 10V 1.2Ohm @ 660mA, 10V 500mOhm @ 1.1A, 10V 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 100 V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base IRFL9014 IRFL9110 IRFL9014 IRFL9110
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc) 1.1A (Tc) 1.8A (Tc) 1.1A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRFL9014TRPBF PDF

Téléchargez IRFL9014TRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFL9014TRPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
IRFL9014.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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