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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI9620GPBF
IRFI9620GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI9620GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI9620GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI9620GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI9620GPBF.pdf
État RoHS
En stock: 35966

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI9620GPBF
Vishay Siliconix - IRFI9620GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI9620GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI9620  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI9620GPBF

Attributs du produit IRFI9620GPBF IRFI9630GPBF IRFI9530GPBF IRFI9640GPBF
Modèle de produit IRFI9620GPBF IRFI9630GPBF IRFI9530GPBF IRFI9640GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numéro de produit de base IRFI9620 IRFI9630 IRFI9530 IRFI9640
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 35W (Tc) 42W (Tc) 40W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 4.3A (Tc) 7.7A (Tc) 6.1A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 100 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 800mOhm @ 2.6A, 10V 300mOhm @ 4.6A, 10V 500mOhm @ 3.7A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V 700 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Fiche technique IRFI9620GPBF PDF

Téléchargez IRFI9620GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI9620GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI9620GPBF

Vishay Siliconix
32D-IRFI9620GPBF

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