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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI9610GPBF
IRFI9610GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI9610GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI9610GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI9610GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
Power MOSFET.pdf
État RoHS
En stock: 51260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI9610GPBF
Vishay Siliconix - IRFI9610GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI9610GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI9610  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI9610GPBF

Attributs du produit IRFI9610GPBF IRFI9520G IRFI9620GPBF IRFI9540GPBF
Modèle de produit IRFI9610GPBF IRFI9520G IRFI9620GPBF IRFI9540GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRFI9610 IRFI9520 IRFI9620 IRFI9540
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 5.2A (Tc) 3A (Tc) 11A (Tc)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 340 pF @ 15 V 1400 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc) 37W (Tc) 30W (Tc) 48W (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.2A, 10V 600mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 200mOhm @ 6.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRFI9610GPBF PDF

Téléchargez IRFI9610GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI9610GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
Power MOSFET.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI9610GPBF

Vishay Siliconix
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