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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9640
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRF9640 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF9640
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9640
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF9640, SiHF9640.pdf
Notre certification
En stock: 4850

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF9640
Vishay Siliconix - IRF9640 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF9640

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9640  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF9640

Attributs du produit IRF9640 IRF9630PBF IRF9640SPBF IRF9640S
Modèle de produit IRF9640 IRF9630PBF IRF9640SPBF IRF9640S
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 6.5A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Numéro de produit de base IRF9640 IRF9630 IRF9640 IRF9640
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6.6A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 74W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF9640 PDF

Téléchargez IRF9640 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF9640 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Feuilles de données
IRF9640, SiHF9640.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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