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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9630SPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9630SPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF9630SPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9630SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF9630S, SiHF9630S.pdf
État RoHS
En stock: 36730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9630SPBF
Vishay Siliconix - IRF9630SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF9630SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 74W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9630  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF9630SPBF

Attributs du produit IRF9630SPBF IRF9630S IRF9620STRLPBF IRF9630STRR
Modèle de produit IRF9630SPBF IRF9630S IRF9620STRLPBF IRF9630STRR
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numéro de produit de base IRF9630 IRF9630 IRF9620 IRF9630
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 6.5A (Tc) 3.5A (Tc) 6.5A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Séries - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.9A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRF9630SPBF PDF

Téléchargez IRF9630SPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF9630SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRF9630S, SiHF9630S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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