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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF740SPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF740SPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF740SPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF740SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF740S, SiHF740S.pdf
État RoHS
En stock: 26763

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF740SPBF
Vishay Siliconix - IRF740SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF740SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF740  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF740SPBF

Attributs du produit IRF740SPBF IRF740STRLPBF IRF7410GTRPBF IRF740L
Modèle de produit IRF740SPBF IRF740STRLPBF IRF7410GTRPBF IRF740L
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 12 V 400 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Séries - - HEXFET® -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRF740 IRF740 - IRF740
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 1.8V, 4.5V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 8676 pF @ 10 V 1100 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 91 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) 8-SO TO-220AB
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V 550mOhm @ 6A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 16A (Ta) 10A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 900mV @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole

Fiche technique IRF740SPBF PDF

Téléchargez IRF740SPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF740SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRF740S, SiHF740S.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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