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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF740L
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF740L - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF740L
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF740L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF740L.pdf
En stock: 4310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF740L
Vishay Siliconix - IRF740L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF740L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF740  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF740L

Attributs du produit IRF740L IRF740AS IRF740STRLPBF IRF740LC
Modèle de produit IRF740L IRF740AS IRF740STRLPBF IRF740LC
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IRF740 IRF740 IRF740 IRF740
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max) - 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 400 V 400 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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