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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF540STRLPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF540STRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF540STRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF540STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF540S.pdf
État RoHS
En stock: 29170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF540STRLPBF
Vishay Siliconix - IRF540STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF540STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF540STRLPBF

Attributs du produit IRF540STRLPBF IRF540STRRPBF IRF540PBF IRF540NSTRRPBF
Modèle de produit IRF540STRLPBF IRF540STRRPBF IRF540PBF IRF540NSTRRPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Séries - - - HEXFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 28A (Tc) 28A (Tc) 33A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRF540 IRF540 IRF540 IRF540
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc) 130W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V

Fiche technique IRF540STRLPBF PDF

Téléchargez IRF540STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF540STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRF540S.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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