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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF540ZPBF
IRF540ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF540ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF540ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF540ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF540ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 89540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF540ZPBF
Infineon Technologies - IRF540ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF540ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF540ZPBF

Attributs du produit IRF540ZPBF IRF542 IRF540PBF IRF541
Modèle de produit IRF540ZPBF IRF542 IRF540PBF IRF541
Fabricant Infineon Technologies Harris Corporation Vishay Siliconix Harris Corporation
Numéro de produit de base IRF540 - IRF540 -
Séries HEXFET® - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 25A (Tc) 28A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRF540ZPBF PDF

Téléchargez IRF540ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF540ZPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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