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AccueilCentre des produitsIsolateursOPTOISOLATEURS - Transistor, sortie photovoltaïqueTCET1107G
Vishay Semiconductor Opto Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TCET1107G - Vishay Semiconductor Opto Division

Fabricant Modèle de produit
TCET1107G
Fabricant
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Modèle de produit
32D-TCET1107G
Modèle ECAD
Description des pièces
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
Description détaillée
Emballage
4-DIP (0.400', 10.16mm)
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
État RoHS
En stock: 234700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TCET1107G
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1107G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1107G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay Semiconductor - Opto Division  
Tension - Sortie (max) 70V  
Tension - Isolement 5000Vrms  
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.25V  
Vce Saturation (Max) 300mV  
Activer / éteindre l'heure (Typ) 6µs, 5µs  
Package composant fournisseur 4-DIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 3µs, 4.7µs  
Package / Boîte 4-DIP (0.400', 10.16mm)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Le type de sortie Transistor  
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C  
Nombre de canaux 1  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée DC  
Rapport du transfert de courant (min) 80% @ 5mA  
Rapport du transfert de courant (max) 160% @ 5mA  
Courant - Sortie / Canal 50mA  
Courant - DC Forward (If) (Max) 60 mA  
Numéro de produit de base TCET1107  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Semiconductor Opto Division TCET1107G

Attributs du produit TCET1107G TCET1108G TCET1103G TCET1109G
Modèle de produit TCET1107G TCET1108G TCET1103G TCET1109G
Fabricant Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Rapport du transfert de courant (min) 80% @ 5mA 130% @ 5mA 100% @ 10mA 200% @ 5mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400", 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Tension - Isolement 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Rapport du transfert de courant (max) 160% @ 5mA 260% @ 5mA 200% @ 10mA 400% @ 5mA
Courant - DC Forward (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Rise / Fall Time (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Le type de sortie Transistor Transistor Transistor Transistor
Type d'entrée DC DC DC DC
Courant - Sortie / Canal 50mA 50mA 50mA 50mA
Numéro de produit de base TCET1107 TCET1108 TCET1103 TCET1109
Emballer Tube Tube Tube Tube
Nombre de canaux 1 1 1 1
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Séries - - - -
Tension - Sortie (max) 70V 70V 70V 70V
Package composant fournisseur 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
Vce Saturation (Max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Activer / éteindre l'heure (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs

Fiche technique TCET1107G PDF

Téléchargez TCET1107G PDF DataSheets et Documentation Vishay Semiconductor Opto Division pour TCET1107G - Vishay Semiconductor Opto Division.

Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf
Fiche technique HTML
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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