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AccueilCentre des produitsIsolateursOPTOISOLATEURS - Transistor, sortie photovoltaïqueTCET1102G
TCET1102G Image
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TCET1102G - Vishay Semiconductor Opto Division

Fabricant Modèle de produit
TCET1102G
Fabricant
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Modèle de produit
32D-TCET1102G
Modèle ECAD
Description des pièces
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
Emballage
4-DIP (0.400', 10.16mm)
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 330080

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques TCET1102G
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1102G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1102G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay Semiconductor - Opto Division  
Tension - Sortie (max) 70V  
Tension - Isolement 5000Vrms  
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.25V  
Vce Saturation (Max) 300mV  
Activer / éteindre l'heure (Typ) 6µs, 5µs  
Package composant fournisseur 4-DIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 3µs, 4.7µs  
Package / Boîte 4-DIP (0.400', 10.16mm)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Le type de sortie Transistor  
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C  
Nombre de canaux 1  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée DC  
Rapport du transfert de courant (min) 63% @ 10mA  
Rapport du transfert de courant (max) 125% @ 10mA  
Courant - Sortie / Canal 50mA  
Courant - DC Forward (If) (Max) 60 mA  
Numéro de produit de base TCET1102  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.49.8000

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Semiconductor Opto Division TCET1102G

Attributs du produit TCET1102G TCET1106G TCET1105 TCET1100G
Modèle de produit TCET1102G TCET1106G TCET1105 TCET1100G
Fabricant Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Courant - DC Forward (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Nombre de canaux 1 1 1 1
Tension - Isolement 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Package / Boîte 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400", 10.16mm) 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm)
Séries - - - -
Le type de sortie Transistor Transistor Transistor Transistor
Numéro de produit de base TCET1102 TCET1106 TCET11 TCET1100
Type d'entrée DC DC DC DC
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Courant - Sortie / Canal 50mA 50mA 50mA 50mA
Rapport du transfert de courant (max) 125% @ 10mA 300% @ 5mA 600% @ 5mA 600% @ 5mA
Activer / éteindre l'heure (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Tension - Sortie (max) 70V 70V 70V 70V
Vce Saturation (Max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Package composant fournisseur 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rapport du transfert de courant (min) 63% @ 10mA 100% @ 5mA 50% @ 5mA 50% @ 5mA
Rise / Fall Time (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs

Fiche technique TCET1102G PDF

Téléchargez TCET1102G PDF DataSheets et Documentation Vishay Semiconductor Opto Division pour TCET1102G - Vishay Semiconductor Opto Division.

Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf
Fiche technique HTML
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-TCET1102G

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