Spécifications
Spécifications techniques BYG10JHE3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10JHE3/TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10JHE3/TR
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Vishay Semiconductor - Opto Division |
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| Tension - Inverse de crête (max) |
Avalanche |
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| Tension - directe (Vf) (max) @ Si |
1.5A |
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| Tension - Ventilation |
DO-214AC (SMA) |
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| Séries |
- |
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| État RoHS |
Tape & Reel (TR) |
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| Temps de recouvrement inverse (trr) |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
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| Résistance @ Si, F |
- |
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| Polarisation |
DO-214AC, SMA |
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| Température d'utilisation - Jonction |
4µs |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Délai de livraison standard du fabricant |
14 Weeks |
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| Référence fabricant |
BYG10JHE3/TR |
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| Description élargie |
Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
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| Configuration diode |
1µA @ 600V |
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| La description |
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A |
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| Courant - fuite, inverse à Vr |
1.15V @ 1.5A |
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| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) |
600V |
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| Capacité à Vr, F |
-55°C ~ 150°C |
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Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
- Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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BYG10J-TRElectro-Films (EFI) / Vishay
BYG10MDiotec SemiconductorDIODE AVAL 1KV 1.5A DO214AC SMA
BYG10GHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC