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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleBYG10GHE3/TR3
BYG10GHE3/TR3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BYG10GHE3/TR3 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
BYG10GHE3/TR3
Fabricant
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Modèle de produit
32D-BYG10GHE3/TR3
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
Description détaillée
Emballage
Fiche technique
Packaging Information.pdf
BYG10D,G,J,K,M,Y.pdf
État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
En stock: 320950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BYG10GHE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10GHE3/TR3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10GHE3/TR3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay Semiconductor - Opto Division  
Tension - Inverse de crête (max) Avalanche  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5A  
Tension - Ventilation DO-214AC (SMA)  
Séries -  
État RoHS Tape & Reel (TR)  
Temps de recouvrement inverse (trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Résistance @ Si, F -  
Polarisation DO-214AC, SMA  
Température d'utilisation - Jonction 4µs  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks  
Référence fabricant BYG10GHE3/TR3  
Description élargie Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)  
Configuration diode 1µA @ 400V  
La description DIODE AVALANCHE 400V 1.5A  
Courant - fuite, inverse à Vr 1.15V @ 1.5A  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 400V  
Capacité à Vr, F -55°C ~ 150°C  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10GHE3/TR3

Attributs du produit BYG10GHE3/TR3 BYG10G-E3/TR3 BYG10G-M3/TR BYG10G-E3/TR
Modèle de produit BYG10GHE3/TR3 BYG10G-E3/TR3 BYG10G-M3/TR BYG10G-E3/TR
Fabricant Vishay Semiconductor Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tension - Ventilation DO-214AC (SMA) - - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5A 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
La description DIODE AVALANCHE 400V 1.5A - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 4 µs 4 µs
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Résistance @ Si, F - - - -
Courant - fuite, inverse à Vr 1.15V @ 1.5A 1 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V
Capacité à Vr, F -55°C ~ 150°C - - -
Séries - - - -
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks - - -
Description élargie Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) - - -
Référence fabricant BYG10GHE3/TR3 - - -
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 400V - - -
Tension - Inverse de crête (max) Avalanche - - -
Température d'utilisation - Jonction 4µs -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
État RoHS Tape & Reel (TR) - - -
Polarisation DO-214AC, SMA - - -
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Configuration diode 1µA @ 400V - - -

Fiche technique BYG10GHE3/TR3 PDF

Téléchargez BYG10GHE3/TR3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Semiconductor Diodes Division pour BYG10GHE3/TR3 - Vishay Semiconductor Diodes Division.

Livret des spécifications
Packaging Information.pdf BYG10D,G,J,K,M,Y.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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Contactez nous si vous avez des questions.

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BYG10GHE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division
32D-BYG10GHE3/TR3

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