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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxVS-203CNQ100PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-203CNQ100PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-203CNQ100PBF
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-203CNQ100PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 100V 100A TO244
Description détaillée
Emballage
TO-244AB
Fiche technique
VS-203CNQ100PbF.pdf
État RoHS
En stock: 684

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-203CNQ100PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-203CNQ100PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-203CNQ100PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 860 mV @ 100 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-244AB  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-244AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 100 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100A  
Numéro de produit de base 203CNQ100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-203CNQ100PBF

Attributs du produit VS-203CNQ100PBF VS-20CTQ045-1PBF VS-20CTQ150SPBF VS-20CTH03-1PBF
Modèle de produit VS-203CNQ100PBF VS-20CTQ045-1PBF VS-20CTQ150SPBF VS-20CTH03-1PBF
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Type de montage Chassis Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Séries - - - FRED Pt®
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 860 mV @ 100 A 760 mV @ 20 A 1 V @ 20 A 1.25 V @ 10 A
La technologie Schottky Schottky Schottky Standard
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 100 V 2 mA @ 45 V 25 µA @ 150 V 20 µA @ 300 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C 175°C (Max)
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-244AB TO-262-3 TO-263AB (D²PAK) TO-262-3
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100A 20A 10A 10A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numéro de produit de base 203CNQ100 20CTQ045 20CTQ150 20CTH03
Package / Boîte TO-244AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 45 V 150 V 300 V

Fiche technique VS-203CNQ100PBF PDF

Téléchargez VS-203CNQ100PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-203CNQ100PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Supplier Add 1/Jun/2021.pdf
Feuilles de données
VS-203CNQ100PbF.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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