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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleVS-1EFH02HM3/I
VS-1EFH02HM3/I Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-1EFH02HM3/I
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-1EFH02HM3/I
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Description détaillée
Emballage
DO-219AB
Fiche technique
VS-1EFH02HM3.pdf
État RoHS
En stock: 282170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-1EFH02HM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 930 mV @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-219AB (SMF)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®  
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-219AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 2 µA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 1EFH02  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1EFH02HM3/I

Attributs du produit VS-1EFH02HM3/I VS-18TQ045PBF VS-20BQ030TRPBF VS-19TQ015PBF
Modèle de produit VS-1EFH02HM3/I VS-18TQ045PBF VS-20BQ030TRPBF VS-19TQ015PBF
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Séries Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Capacité à Vr, F - - - -
La technologie Standard Schottky Schottky Schottky
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 18A 2A 19A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 125°C
Courant - fuite, inverse à Vr 2 µA @ 200 V 2.5 mA @ 45 V 500 µA @ 30 V 1.5 mA @ 15 V
Package composant fournisseur DO-219AB (SMF) TO-220AC DO-214AA (SMB) TO-220AC
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 930 mV @ 1 A 600 mV @ 18 A 470 mV @ 2 A 360 mV @ 19 A
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 45 V 30 V 15 V
Numéro de produit de base 1EFH02 18TQ045 20BQ030 19TQ015
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte DO-219AB TO-220-2 DO-214AA, SMB TO-220-2
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns - - -

Fiche technique VS-1EFH02HM3/I PDF

Téléchargez VS-1EFH02HM3/I PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Feuilles de données
VS-1EFH02HM3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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VS-1EFH02HM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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