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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxV30120CI-M3/P
V30120CI-M3/P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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V30120CI-M3/P - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
V30120CI-M3/P
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-V30120CI-M3/P
Modèle ECAD
Description des pièces
30A 120V TRENCH SKY RECT
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
V30100CI.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 45920

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques V30120CI-M3/P
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30120CI-M3/P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30120CI-M3/P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900 mV @ 15 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 120 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AB  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries TMBS®  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 120 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 15A  
Numéro de produit de base V30120  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30120CI-M3/P

Attributs du produit V30120CI-M3/P V30120C-E3/4W V30120C-M3/4W V30120C
Modèle de produit V30120CI-M3/P V30120C-E3/4W V30120C-M3/4W V30120C
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Electro-Films (EFI) / Vishay
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900 mV @ 15 A 970 mV @ 15 A 970 mV @ 15 A -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220-3 TO-220-3 -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -
Numéro de produit de base V30120 V30120 V30120 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 15A 15A 15A -
Tension - inverse (Vr) (max) 120 V 120 V 120 V -
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 120 V 800 µA @ 120 V 800 µA @ 120 V -
Séries TMBS® TMBS® TMBS® -
La technologie Schottky Schottky Schottky -
Emballer Tube Tube Tube -

Fiche technique V30120CI-M3/P PDF

Téléchargez V30120CI-M3/P PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour V30120CI-M3/P - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
V30100CI.pdf

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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V30120CI-M3/P

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-V30120CI-M3/P

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