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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleV30100SG-E3/4W
V30100SG-E3/4W Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

V30100SG-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
V30100SG-E3/4W
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-V30100SG-E3/4W
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
V(x)30100SG.pdf
État RoHS
En stock: 74410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques V30100SG-E3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30100SG-E3/4W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30100SG-E3/4W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-220-3  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries TMBS®  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 350 µA @ 100 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base V30100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SG-E3/4W

Attributs du produit V30100SG-E3/4W V30100S-E3/4W V30119 MOS V30100C-M3
Modèle de produit V30100SG-E3/4W V30100S-E3/4W V30119 MOS V30100C-M3
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 - -
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C - -
Capacité à Vr, F - - - -
Courant - fuite, inverse à Vr 350 µA @ 100 V 1 mA @ 100 V - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 30 A 910 mV @ 30 A - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 - -
Emballer Tube Tube - -
Séries TMBS® TMBS® - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A 30A - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 100 V - -
La technologie Schottky Schottky - -
Numéro de produit de base V30100 V30100 - -

Fiche technique V30100SG-E3/4W PDF

Téléchargez V30100SG-E3/4W PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour V30100SG-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220/TO-262 Wire Bond 11/Jan/2017.pdf
Feuilles de données
V(x)30100SG.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-V30100SG-E3/4W

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