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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs de pontKBU8M-E4/51
KBU8M-E4/51 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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KBU8M-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
KBU8M-E4/51
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-KBU8M-E4/51
Modèle ECAD
Description des pièces
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
Emballage
4-SIP, KBU
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
KBU8A thru KBU8M.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 11575

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques KBU8M-E4/51
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - KBU8M-E4/51 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - KBU8M-E4/51

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Inverse de crête (max) 1 kV  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 8 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur KBU  
Séries -  
Package / Boîte 4-SIP, KBU  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8 A  
Numéro de produit de base KBU8  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU8M-E4/51

Attributs du produit KBU8M-E4/51 KBU8J KBU8K KBU8K-E4/51
Modèle de produit KBU8M-E4/51 KBU8J KBU8K KBU8K-E4/51
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Type de diode Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Inverse de crête (max) 1 kV 600 V 800 V 800 V
La technologie Standard Standard Standard Standard
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V 10 µA @ 600 V 10 µA @ 800 V 10 µA @ 800 V
Package / Boîte 4-SIP, KBU 4-SIP, KBU 4-SIP, KBU 4-SIP, KBU
Séries - - - -
Numéro de produit de base KBU8 KBU8 KBU8 KBU8
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8 A 8 A 8 A 8 A
Package composant fournisseur KBU KBU KBU KBU
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 8 A 1 V @ 8 A 1 V @ 8 A 1 V @ 8 A
Emballer Bulk Bulk Bulk Tray

Fiche technique KBU8M-E4/51 PDF

Téléchargez KBU8M-E4/51 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour KBU8M-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Conception / spécification PCN
Cylindrical Battery Holders.pdf
Assemblage / origine PCN
2.73KHz.pdf
Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf
Fiche technique HTML
KBU8A thru KBU8M.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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KBU8M-E4/51

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-KBU8M-E4/51

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