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KBU8J Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

KBU8J - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
KBU8J
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-KBU8J
Modèle ECAD
Description des pièces
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
Description détaillée
Emballage
4-SIP, KBU
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 38580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques KBU8J
GeneSiC Semiconductor - KBU8J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - KBU8J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - Inverse de crête (max) 600 V  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 8 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur KBU  
Séries -  
Package / Boîte 4-SIP, KBU  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8 A  
Numéro de produit de base KBU8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor KBU8J

Attributs du produit KBU8J KBU8K KBU810 KBU806
Modèle de produit KBU8J KBU8K KBU810 KBU806
Fabricant GeneSiC Semiconductor Fairchild Semiconductor Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8 A 8 A 8 A 8 A
Emballer Bulk Bulk Box Box
Package composant fournisseur KBU KBU KBU KBU
Séries - - - -
La technologie Standard Standard Standard Standard
Package / Boîte 4-SIP, KBU 4-SIP, KBU 4-ESIP, KBU 4-ESIP, KBU
Numéro de produit de base KBU8 - - -
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 600 V 10 µA @ 800 V 10 µA @ 1000 V 10 µA @ 600 V
Tension - Inverse de crête (max) 600 V 800 V 1 kV 600 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de diode Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 8 A 1 V @ 8 A 1.1 V @ 4 A 1.1 V @ 4 A

Fiche technique KBU8J PDF

Téléchargez KBU8J PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour KBU8J - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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KBU8J

GeneSiC Semiconductor
32D-KBU8J

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