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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTPH3206PSB
Transphorm
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TPH3206PSB - Transphorm

Fabricant Modèle de produit
TPH3206PSB
Fabricant
Transphorm
Allelco Modèle de produit
32D-TPH3206PSB
Modèle ECAD
Description des pièces
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TPH3206PSB Datasheet.pdf
En stock: 2954

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TPH3206PSB
Transphorm - TPH3206PSB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Transphorm - TPH3206PSB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Transphorm  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±18V  
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 81W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 480 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base TPH3206  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Transphorm TPH3206PSB

Attributs du produit TPH3206PSB TPH3R70APL,L1Q TPH3R203NL,L1Q TPH3205WS
Modèle de produit TPH3206PSB TPH3R70APL,L1Q TPH3R203NL,L1Q TPH3205WS
Fabricant Transphorm Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V 67 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Dissipation de puissance (max) 81W (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) 1.6W (Ta), 44W (Tc) -
Fonction FET - - - -
La technologie GaNFET (Gallium Nitride) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±18V ±20V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V 3.7mOhm @ 45A, 10V 3.2mOhm @ 23.5A, 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Séries - U-MOSIX-H U-MOSVIII-H -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C 150°C (TJ) -
Numéro de produit de base TPH3206 TPH3R70 TPH3R203 -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA 2.5V @ 1mA 2.3V @ 300µA -
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 100 V 30 V -
Package composant fournisseur TO-220AB 8-SOP Advance (5x5) 8-SOP Advance (5x5) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 90A (Tc) 47A (Tc) -
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 480 V 6300 pF @ 50 V 2100 pF @ 15 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -

Fiche technique TPH3206PSB PDF

Téléchargez TPH3206PSB PDF DataSheets et Documentation Transphorm pour TPH3206PSB - Transphorm.

Feuilles de données
TPH3206PSB Datasheet.pdf
PCN Obsolescence / EOL
TPH32/TPH32 02/Mar/2021.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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