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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTPH3R203NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TPH3R203NL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TPH3R203NL,L1Q
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TPH3R203NL,L1Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
TPH3R203NL,L1Q.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 60360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TPH3R203NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage - TPH3R203NL,L1Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TPH3R203NL,L1Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 300µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP Advance (5x5)  
Séries U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 23.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta), 44W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc)  
Numéro de produit de base TPH3R203  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL,L1Q

Attributs du produit TPH3R203NL,L1Q TPH3206PSB TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL
Modèle de produit TPH3R203NL,L1Q TPH3206PSB TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc) 16A (Tc) 90A (Tc) -
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) GaNFET (Gallium Nitride) MOSFET (Metal Oxide) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C -
Séries U-MOSVIII-H - U-MOSIX-H -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) -
Package composant fournisseur 8-SOP Advance (5x5) TO-220AB 8-SOP Advance (5x5) -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 300µA 2.6V @ 500µA 2.5V @ 1mA -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 650 V 100 V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 6.2 nC @ 4.5 V 67 nC @ 10 V -
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta), 44W (Tc) 81W (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±18V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 23.5A, 10V 180mOhm @ 10A, 8V 3.7mOhm @ 45A, 10V -
Package / Boîte 8-PowerVDFN TO-220-3 8-PowerVDFN -
Numéro de produit de base TPH3R203 TPH3206 TPH3R70 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V 720 pF @ 480 V 6300 pF @ 50 V -

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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