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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxTSM500P02DCQ RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM500P02DCQ RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM500P02DCQ RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM500P02DCQ RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
Description détaillée
Emballage
6-VDFN Exposed Pad
Fiche technique
TSM500P02D.pdf
État RoHS
En stock: 54230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM500P02DCQ RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02DCQ RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02DCQ RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TDFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V  
Puissance - Max 620mW  
Package / Boîte 6-VDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Tc)  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base TSM500  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG

Attributs du produit TSM500P02DCQ RFG TSM500P02DCQ TSM500P02CX RFG TSM53YJ502KR
Modèle de produit TSM500P02DCQ RFG TSM500P02DCQ TSM500P02CX RFG TSM53YJ502KR
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Electro-Films (EFI) / Vishay
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 0.8V @ 250µA 800mV @ 250µA -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 10V 1230pF @ 10V 850 pF @ 10 V -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20 V -
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V 50mOhm @ 3A, 4.5V 50mOhm @ 3A, 4.5V -
Séries - - - -
Numéro de produit de base TSM500 TSM500 TSM500 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Fonction FET - Standard - -
Package / Boîte 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Puissance - Max 620mW 620mW (Tc) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Package composant fournisseur 6-TDFN (2x2) 6-TDFN (2x2) SOT-23 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Tc) 4.7A (Tc) 4.7A (Tc) -
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V 13nC @ 4.5V 9.6 nC @ 4.5 V -

Fiche technique TSM500P02DCQ RFG PDF

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Feuilles de données
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Brésil 7
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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