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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM500P02CX
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM500P02CX - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM500P02CX
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM500P02CX
Modèle ECAD
Description des pièces
-20V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM500P02CX.pdf
État RoHS
En stock: 110810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM500P02CX
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02CX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02CX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM500  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02CX

Attributs du produit TSM500P02CX TSM4NC50CP TSM500P02CX RFG TSM500N03CP ROG
Modèle de produit TSM500P02CX TSM4NC50CP TSM500P02CX RFG TSM500N03CP ROG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V 453 pF @ 50 V 850 pF @ 10 V 270 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 9.6 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-23 TO-252, (D-Pak) SOT-23 TO-252, (D-Pak)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Tc) 4A (Tc) 4.7A (Tc) 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V 2.7Ohm @ 1.7A, 10V 50mOhm @ 3A, 4.5V 50mOhm @ 8A, 10V
Numéro de produit de base TSM500 TSM4 TSM500 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc) 83W (Tc) 1.56W (Tc) 12.5W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 500 V 20 V 30 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA 3V @ 250µA 800mV @ 250µA 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -

Fiche technique TSM500P02CX PDF

Téléchargez TSM500P02CX PDF DataSheets et Documentation Taiwan Semiconductor Corporation pour TSM500P02CX - Taiwan Semiconductor Corporation.

Feuilles de données
TSM500P02CX.pdf

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Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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