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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM3443CX6 RFG
TSM3443CX6 RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM3443CX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM3443CX6 RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM3443CX6 RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
TSM3443.pdf
État RoHS
En stock: 78700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM3443CX6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3443CX6 RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3443CX6 RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-26  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Ta)  
Numéro de produit de base TSM3443  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 RFG

Attributs du produit TSM3443CX6 RFG TSM3457CX6 TSM3446CX6 TSM3443CX6
Modèle de produit TSM3443CX6 RFG TSM3457CX6 TSM3446CX6 TSM3443CX6
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V 551.57 pF @ 15 V 700 pF @ 10 V 640 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V 60mOhm @ 5A, 10V 33mOhm @ 5.3A, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Package composant fournisseur SOT-26 SOT-26 SOT-26 SOT-26
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Ta) 5A (Ta) 5.3A (Tc) 4.7A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Numéro de produit de base TSM3443 TSM3457 TSM3446 TSM3443
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 9.52 nC @ 10 V 12.5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique TSM3443CX6 RFG PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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