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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM3446CX6
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM3446CX6 - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM3446CX6
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM3446CX6
Modèle ECAD
Description des pièces
20V, 5.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
TSM3446.pdf
État RoHS
En stock: 120820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM3446CX6
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3446CX6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3446CX6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-26  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM3446  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM3446CX6

Attributs du produit TSM3446CX6 TSM3443CX6 TSM3443CX6 RFG TSM3457CX6 RFG
Modèle de produit TSM3446CX6 TSM3443CX6 TSM3443CX6 RFG TSM3457CX6 RFG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Numéro de produit de base TSM3446 TSM3443 TSM3443 TSM3457
Package / Boîte SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc) 4.7A (Ta) 4.7A (Ta) 5A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V 640 pF @ 10 V 640 pF @ 10 V 551.57 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.3A, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V 60mOhm @ 5A, 10V
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package composant fournisseur SOT-26 SOT-26 SOT-26 SOT-26

Fiche technique TSM3446CX6 PDF

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Feuilles de données
TSM3446.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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