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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM260P02CX6 RFG
TSM260P02CX6 RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM260P02CX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM260P02CX6 RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM260P02CX6 RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
TSM260P02CX RFG.pdf
État RoHS
En stock: 64820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM260P02CX6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM260P02CX6 RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM260P02CX6 RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-26  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM260  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6 RFG

Attributs du produit TSM260P02CX6 RFG TSM2328CX RFG TSM240N03CX RFG TSM250N02CX
Modèle de produit TSM260P02CX6 RFG TSM2328CX RFG TSM240N03CX RFG TSM250N02CX
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V 250mOhm @ 1.5A, 10V 24mOhm @ 6A, 10V 25mOhm @ 4A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V 7.7 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 15 V 975 pF @ 25 V 345 pF @ 25 V 535 pF @ 10 V
Numéro de produit de base TSM260 TSM2328 TSM240 TSM250
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SOT-26 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±10V
Package / Boîte SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 100 V 30 V 20 V
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 1.5A (Ta) 6.5A (Tc) 5.8A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc) 1.38W (Ta) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 0.8V @ 250µA

Fiche technique TSM260P02CX6 RFG PDF

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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