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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM250N02CX
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM250N02CX - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM250N02CX
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM250N02CX
Modèle ECAD
Description des pièces
20V, 5.8A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM250N02CX.pdf
État RoHS
En stock: 136650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM250N02CX
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM250N02CX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM250N02CX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX

Attributs du produit TSM250N02CX TSM260P02CX6 RFG TSM2328CX TSM240N03CX
Modèle de produit TSM250N02CX TSM260P02CX6 RFG TSM2328CX TSM240N03CX
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc) 1.38W (Ta) 1.56W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base TSM250 TSM260 TSM2328 TSM240
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 100 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 10 V 1670 pF @ 15 V 975 pF @ 25 V 345 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A (Tc) 6.5A (Tc) 1.5A (Ta) 6.5A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V 19.5 nC @ 4.5 V 11.1 nC @ 5 V 4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V 26mOhm @ 5A, 4.5V 250mOhm @ 1.5A, 10V 24mOhm @ 6A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-26 SOT-23 SOT-23
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique TSM250N02CX PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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