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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM042N03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM042N03CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM042N03CS RLG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM042N03CS RLG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
TSM042N03CS.pdf
État RoHS
En stock: 53660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM042N03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM042N03CS RLG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM042N03CS RLG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 7W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM042  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG

Attributs du produit TSM042N03CS RLG TSM05N03CW RPG TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56
Modèle de produit TSM042N03CS RLG TSM05N03CW RPG TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 7 nC @ 5 V 11.1 nC @ 4.5 V 50 nC @ 10 V
Numéro de produit de base TSM042 TSM05 TSM055 TSM036
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 5A (Ta) 80A (Tc) 22A (Ta), 124A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 12A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 3.6mOhm @ 22A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 7W (Tc) 3W (Ta) 74W (Tc) 2.6W (Ta), 83W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Package composant fournisseur 8-SOP SOT-223 8-PDFN (5x5.8) 8-PDFN (5x6)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 555 pF @ 15 V 1210 pF @ 25 V 2530 pF @ 15 V
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique TSM042N03CS RLG PDF

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Feuilles de données
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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