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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM038N03PQ33
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM038N03PQ33 - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM038N03PQ33
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM038N03PQ33
Modèle ECAD
Description des pièces
30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
TSM038N03PQ33.pdf
État RoHS
En stock: 54070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM038N03PQ33
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM038N03PQ33 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM038N03PQ33

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PDFN (3.1x3.1)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 39W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2557 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 78A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM038  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33

Attributs du produit TSM038N03PQ33 TSM05N03CW RPG TSM036N03PQ56 RLG TSM055N03EPQ56
Modèle de produit TSM038N03PQ33 TSM05N03CW RPG TSM036N03PQ56 RLG TSM055N03EPQ56
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 78A (Tc) 5A (Ta) 124A (Tc) 80A (Tc)
Numéro de produit de base TSM038 TSM05 TSM036 TSM055
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 19A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 3.6mOhm @ 22A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-PDFN (3.1x3.1) SOT-223 8-PDFN (5x6) 8-PDFN (5x5.8)
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 39W (Tc) 3W (Ta) 83W (Tc) 74W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 7 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V 11.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerWDFN TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2557 pF @ 15 V 555 pF @ 15 V 2530 pF @ 15 V 1210 pF @ 25 V

Fiche technique TSM038N03PQ33 PDF

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Feuilles de données
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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