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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR60100PT
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR60100PT - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
MBR60100PT
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR60100PT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
MBR6035PT - MBR60100PT.pdf
État RoHS
En stock: 17512

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR60100PT
Taiwan Semiconductor Corporation - MBR60100PT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - MBR60100PT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 980 mV @ 60 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-247AD (TO-3P)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 100 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 60A  
Numéro de produit de base MBR60100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation MBR60100PT

Attributs du produit MBR60100PT MBR6030PT MBR60030CT MBR60100CT-E3/45
Modèle de produit MBR60100PT MBR6030PT MBR60030CT MBR60100CT-E3/45
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Diodes Incorporated GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 30 V 30 V 100 V
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-247AD (TO-3P) TO-3P Twin Tower TO-220-3
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 60A 60A 300A 30A
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 100 V 1 mA @ 30 V 1 mA @ 20 V 100 µA @ 100 V
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package / Boîte TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 Twin Tower TO-220-3
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C
Numéro de produit de base MBR60100 MBR6030 MBR60030 MBR60
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 980 mV @ 60 A 750 mV @ 60 A 750 mV @ 300 A 820 mV @ 30 A

Fiche technique MBR60100PT PDF

Téléchargez MBR60100PT PDF DataSheets et Documentation Taiwan Semiconductor Corporation pour MBR60100PT - Taiwan Semiconductor Corporation.

Numéro de pièce PCN
Part Number Update 1/Jan/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
MBR6035PT - MBR60100PT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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