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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR60060CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR60060CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR60060CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR60060CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MBR60045CT thru MBR600100CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 374

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR60060CT
GeneSiC Semiconductor - MBR60060CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR60060CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 800 mV @ 300 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte Twin Tower  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -50°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 300A  
Numéro de produit de base MBR60060  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR60060CT

Attributs du produit MBR60060CT MBR600200CT MBR60100CT-E3/45 MBR600100CT
Modèle de produit MBR60060CT MBR600200CT MBR60100CT-E3/45 MBR600100CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit de base MBR60060 MBR600200 MBR60 MBR600100
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 300A 300A 30A 300A
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V 3 mA @ 200 V 100 µA @ 100 V 1 mA @ 20 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 800 mV @ 300 A 920 mV @ 300 A 820 mV @ 30 A 880 mV @ 300 A
Séries - - - -
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Package / Boîte Twin Tower Twin Tower TO-220-3 Twin Tower
Température d'utilisation - Jonction -50°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Package composant fournisseur Twin Tower Twin Tower TO-220-3 Twin Tower
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Emballer Bulk Bulk Tube Bulk
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V 200 V 100 V 100 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky

Fiche technique MBR60060CT PDF

Téléchargez MBR60060CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR60060CT - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBR60045CT thru MBR600100CTR.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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