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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxG3S12020B
Global Power Technology-GPT
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

G3S12020B - Global Power Technology-GPT

Fabricant Modèle de produit
G3S12020B
Fabricant
SemiQ
Allelco Modèle de produit
32D-G3S12020B
Modèle ECAD
Description des pièces
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
Description détaillée
Emballage
TO-247-2
Fiche technique
G3S12020B.pdf
En stock: 1613

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques G3S12020B
Global Power Technology-GPT - G3S12020B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Global Power Technology-GPT - G3S12020B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant SemiQ  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur TO-247AC  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-2  
Emballer Cut Tape (CT)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 50 µA @ 1200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 37A (DC)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Global Power Technology-GPT G3S12020B

Attributs du produit G3S12020B STPSC16H065CT RHRA1560CC STTH30L06CG-TR
Modèle de produit G3S12020B STPSC16H065CT RHRA1560CC STTH30L06CG-TR
Fabricant Global Power Technology-GPT STMicroelectronics onsemi STMicroelectronics
Emballer Cut Tape (CT) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V 650 V 600 V 600 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 40 ns 85 ns
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 37A (DC) 8A 15A 20A
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 10 A 1.75 V @ 8 A 2.1 V @ 15 A 1.55 V @ 15 A
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Package / Boîte TO-247-2 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C 175°C (Max)
Séries - - - -
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Package composant fournisseur TO-247AC TO-220 TO-3PN D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 50 µA @ 1200 V 80 µA @ 650 V 100 µA @ 600 V 15 µA @ 600 V

Fiche technique G3S12020B PDF

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Feuilles de données
G3S12020B.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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