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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxG3S12010B
Global Power Technology-GPT
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

G3S12010B - Global Power Technology-GPT

Fabricant Modèle de produit
G3S12010B
Fabricant
SemiQ
Allelco Modèle de produit
32D-G3S12010B
Modèle ECAD
Description des pièces
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
G3S12010B.pdf
En stock: 3099

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques G3S12010B
Global Power Technology-GPT - G3S12010B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Global Power Technology-GPT - G3S12010B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant SemiQ  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 5 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur TO-247AB  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Cut Tape (CT)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 50 µA @ 1200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 39A (DC)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Global Power Technology-GPT G3S12010B

Attributs du produit G3S12010B MA6X12500L SBR30A60CT-G DD82S04K
Modèle de produit G3S12010B MA6X12500L SBR30A60CT-G DD82S04K
Fabricant Global Power Technology-GPT Panasonic Electronic Components Diodes Incorporated International Rectifier (Infineon Technologies)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 5 A 1.2 V @ 100 mA 600 mV @ 15 A -
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube -
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V 40 V 60 V -
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Super Barrier -
Package composant fournisseur TO-247AB MINI6-G1 TO-220-3 -
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C 150°C (Max) -65°C ~ 150°C -
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 39A (DC) 100mA (DC) 15A -
Courant - fuite, inverse à Vr 50 µA @ 1200 V 100 nA @ 40 V 500 µA @ 60 V -
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) -
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 2 Pair Series Connection 1 Pair Common Cathode -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 150 ns - -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole -
Séries - - SBR® *
Package / Boîte TO-247-3 SOT-23-6 TO-220-3 -

Fiche technique G3S12010B PDF

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Feuilles de données
G3S12010B.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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