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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTWA88N65M5
STWA88N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STWA88N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STWA88N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STWA88N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 84A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW(A)88N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 3474

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STWA88N65M5
STMicroelectronics - STWA88N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STWA88N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 42A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8825 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 204 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc)  
Numéro de produit de base STWA88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STWA88N65M5

Attributs du produit STWA88N65M5 STWA45N65M5 STWA65N60DM6 STWA48N60DM2
Modèle de produit STWA88N65M5 STWA45N65M5 STWA65N60DM6 STWA48N60DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8825 pF @ 100 V 3470 pF @ 100 V - 3250 pF @ 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 42A, 10V 78mOhm @ 17.5A, 10V - 79mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc) 210W (Tc) - 300W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA - 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247 TO-247 Long Leads TO-247 Long Leads
Numéro de produit de base STWA88 STWA45 STWA65 STWA48
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc) 35A (Tc) 38A (Tc) 40A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 204 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V - 70 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ V MDmesh™ V MDmesh™ DM6 MDmesh™ DM2

Fiche technique STWA88N65M5 PDF

Téléchargez STWA88N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STWA88N65M5 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STW(A)88N65M5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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