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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW9NK95Z
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STW9NK95Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW9NK95Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW9NK95Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 950V 7A TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW9NK95Z.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 20408

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STW9NK95Z
STMicroelectronics - STW9NK95Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW9NK95Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 3.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2256 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 950 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base STW9  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW9NK95Z

Attributs du produit STW9NK95Z STWA45N65M5 STW9NK70Z STWA30N65DM6AG
Modèle de produit STW9NK95Z STWA45N65M5 STW9NK70Z STWA30N65DM6AG
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 950 V 650 V 700 V 650 V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247 Long Leads
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2256 pF @ 25 V 3470 pF @ 100 V 1370 pF @ 25 V 2000 pF @ 100 V
Séries SuperMESH™ MDmesh™ V SuperMESH™ Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Numéro de produit de base STW9 STWA45 STW9N STWA30
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 3.6A, 10V 78mOhm @ 17.5A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 210W (Tc) 156W (Tc) 284W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.75V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 35A (Tc) 7.5A (Tc) 28A (Tc)

Fiche technique STW9NK95Z PDF

Téléchargez STW9NK95Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW9NK95Z - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW9NK95Z

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32D-STW9NK95Z

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