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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW9N150
STW9N150 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW9N150 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW9N150
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW9N150
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW9N150.pdf
État RoHS
En stock: 4585

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW9N150
STMicroelectronics - STW9N150 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW9N150

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 320W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3255 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STW9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW9N150

Attributs du produit STW9N150 STW90NF20 STW9NK90Z STW9NK70Z
Modèle de produit STW9N150 STW90NF20 STW9NK90Z STW9NK70Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries PowerMESH™ STripFET™ SuperMESH™ SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 4A, 10V 23mOhm @ 45A, 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89.3 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 83A (Tc) 8A (Tc) 7.5A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 320W (Tc) 300W (Tc) 160W (Tc) 156W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3255 pF @ 25 V 5736 pF @ 25 V 2115 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 1500 V 200 V 900 V 700 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STW9 STW90N STW9 STW9N
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique STW9N150 PDF

Téléchargez STW9N150 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW9N150 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Feuilles de données
STW9N150.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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