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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW4N150
STW4N150 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW4N150 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW4N150
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW4N150
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STxx4N150.pdf
État RoHS
En stock: 10198

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW4N150
STMicroelectronics - STW4N150 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW4N150

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base STW4N150  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW4N150

Attributs du produit STW4N150 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW48N60M6
Modèle de produit STW4N150 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW48N60M6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries PowerMESH™ MDmesh™ M2 MDmesh™ II MDmesh™ M6
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V 70mOhm @ 21A, 10V 70mOhm @ 20A, 10V 69mOhm @ 19.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 250W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 42A (Tc) 44A (Tc) 39A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 1500 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3060 pF @ 100 V 4285 pF @ 50 V 2578 pF @ 100 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STW4N150 STW48 STW48 STW48
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STW4N150 PDF

Téléchargez STW4N150 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW4N150 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STxx4N150.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STW4N150

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