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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW48NM60N
STW48NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW48NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW48NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW48NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 44A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW48NM60N.pdf
État RoHS
En stock: 4114

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW48NM60N
STMicroelectronics - STW48NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW48NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4285 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base STW48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW48NM60N

Attributs du produit STW48NM60N STW48N60M2-4 STW48N60DM2 STW48N60M6
Modèle de produit STW48NM60N STW48N60M2-4 STW48N60DM2 STW48N60M6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 42A (Tc) 40A (Tc) 39A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc)
Séries MDmesh™ II MDmesh™ M2 MDmesh™ DM2 MDmesh™ M6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4285 pF @ 50 V 3060 pF @ 100 V 3250 pF @ 100 V 2578 pF @ 100 V
Numéro de produit de base STW48 STW48 STW48 STW48
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 10V 70mOhm @ 21A, 10V 79mOhm @ 20A, 10V 69mOhm @ 19.5A, 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3

Fiche technique STW48NM60N PDF

Téléchargez STW48NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW48NM60N - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Feuilles de données
STW48NM60N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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