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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW28NM60ND
STW28NM60ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW28NM60ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW28NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW28NM60ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 7179

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW28NM60ND
STMicroelectronics - STW28NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW28NM60ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base STW28  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW28NM60ND

Attributs du produit STW28NM60ND STW28N60DM2 STW29NK50Z STW30NM50N
Modèle de produit STW28NM60ND STW28N60DM2 STW29NK50Z STW30NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 500 V 500 V
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 170W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 130mOhm @ 15.5A, 10V 115mOhm @ 13.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STW28 STW28 STW29N STW30N
Séries FDmesh™ II MDmesh™ DM2 SuperMESH™ MDmesh™ II
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V 1500 pF @ 100 V 6110 pF @ 25 V 2740 pF @ 50 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 21A (Tc) 31A (Tc) 27A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique STW28NM60ND PDF

Téléchargez STW28NM60ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW28NM60ND - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Feuilles de données
ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW28NM60ND

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