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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW28NM50N
STW28NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW28NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW28NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW28NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx28NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 10173

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW28NM50N
STMicroelectronics - STW28NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW28NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1735 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  
Numéro de produit de base STW28  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW28NM50N

Attributs du produit STW28NM50N STW30N65M5 STW28N60DM2 STW27N60M2-EP
Modèle de produit STW28NM50N STW30N65M5 STW28N60DM2 STW27N60M2-EP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Séries MDmesh™ II MDmesh™ V MDmesh™ DM2 MDmesh™ M2-EP
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 650 V 600 V 600 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STW28 STW30 STW28 STW27
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1735 pF @ 25 V 2880 pF @ 100 V 1500 pF @ 100 V 1320 pF @ 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 22A (Tc) 21A (Tc) 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 10.5A, 10V 139mOhm @ 11A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 163mOhm @ 10A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 140W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)

Fiche technique STW28NM50N PDF

Téléchargez STW28NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW28NM50N - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
STx28NM50N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW28NM50N

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32D-STW28NM50N

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