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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW21N90K5
STW21N90K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW21N90K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW21N90K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW21N90K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx21N90K5.pdf
État RoHS
En stock: 7571

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW21N90K5
STMicroelectronics - STW21N90K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW21N90K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STW21  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW21N90K5

Attributs du produit STW21N90K5 STW21N65M5 STW21NM60ND STW20NM60
Modèle de produit STW21N90K5 STW21N65M5 STW21NM60ND STW20NM60
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 100 V 1950 pF @ 100 V 1800 pF @ 50 V 1500 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 900 V 650 V 600 V 600 V
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ V FDmesh™ II MDmesh™
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.5A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 20A (Tc)
Numéro de produit de base STW21 STW21N STW21 STW20

Fiche technique STW21N90K5 PDF

Téléchargez STW21N90K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW21N90K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STx21N90K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW21N90K5

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32D-STW21N90K5

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