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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW20NM60FD
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW20NM60FD - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW20NM60FD
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW20NM60FD
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx20NM60D.pdf
État RoHS
En stock: 9303

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW20NM60FD
STMicroelectronics - STW20NM60FD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW20NM60FD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries FDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base STW20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW20NM60FD

Attributs du produit STW20NM60FD STW20NK70Z STW20NK50Z STW21NM60ND
Modèle de produit STW20NM60FD STW20NK70Z STW20NK50Z STW21NM60ND
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STW20 STW20N STW20 STW21
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc) 140W (Tc)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V 285mOhm @ 10A, 10V 270mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 600 V 700 V 500 V 600 V
Séries FDmesh™ SuperMESH™ SuperMESH™ FDmesh™ II
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)

Fiche technique STW20NM60FD PDF

Téléchargez STW20NM60FD PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW20NM60FD - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
STx20NM60D.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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