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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW18N60DM2
STW18N60DM2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW18N60DM2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW18N60DM2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW18N60DM2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW18N60DM2.pdf
État RoHS
En stock: 20782

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW18N60DM2
STMicroelectronics - STW18N60DM2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW18N60DM2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STW18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW18N60DM2

Attributs du produit STW18N60DM2 STW16NK60Z STW16N65M5 STW18N60M2
Modèle de produit STW18N60DM2 STW16NK60Z STW16N65M5 STW18N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc) 13A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V 2650 pF @ 25 V 1250 pF @ 100 V 791 pF @ 100 V
Séries MDmesh™ DM2 SuperMESH™ MDmesh™ V MDmesh™ II Plus
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 190W (Tc) 90W (Tc) 110W (Tc)
Numéro de produit de base STW18 STW16N STW16N STW18
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6A, 10V 420mOhm @ 7A, 10V 279mOhm @ 6A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STW18N60DM2 PDF

Téléchargez STW18N60DM2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW18N60DM2 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer 15/Feb/2019.pdf
Feuilles de données
STW18N60DM2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STW18N60DM2

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