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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW15NK50Z
STW15NK50Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW15NK50Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW15NK50Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW15NK50Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx15NK50Z(FP,-1).pdf
État RoHS
En stock: 18119

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW15NK50Z
STMicroelectronics - STW15NK50Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW15NK50Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base STW15  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW15NK50Z

Attributs du produit STW15NK50Z STW15NK90Z STW16NK60Z STW16N65M5
Modèle de produit STW15NK50Z STW15NK90Z STW16NK60Z STW16N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V 550mOhm @ 7.5A, 10V 420mOhm @ 7A, 10V 279mOhm @ 6A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc) 90W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V 1250 pF @ 100 V
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 15A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 150µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base STW15 STW15 STW16N STW16N
Tension drain-source (Vdss) 500 V 900 V 600 V 650 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V 256 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V

Fiche technique STW15NK50Z PDF

Téléchargez STW15NK50Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW15NK50Z - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
STx15NK50Z(FP,-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW15NK50Z

STMicroelectronics
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