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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTU9N60M2
STU9N60M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STU9N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STU9N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STU9N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
ST(D,P,U)9N60M2.pdf
État RoHS
En stock: 77900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STU9N60M2
STMicroelectronics - STU9N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STU9N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STU9N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STU9N60M2

Attributs du produit STU9N60M2 STU8NM50N STU90N4F3 STU95N2LH5
Modèle de produit STU9N60M2 STU8NM50N STU90N4F3 STU95N2LH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 13.4 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 3A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 4.9mOhm @ 40A, 10V
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) I-PAK I-PAK TO-251 (IPAK)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STU9N60 STU8N STU90 STU95
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 40 V 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries MDmesh™ II Plus MDmesh™ II STripFET™ III STripFET™ V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320 pF @ 100 V 364 pF @ 50 V 2200 pF @ 25 V 1817 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc) 5A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 45W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)

Fiche technique STU9N60M2 PDF

Téléchargez STU9N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STU9N60M2 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
ST(D,P,U)9N60M2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STU9N60M2

STMicroelectronics
32D-STU9N60M2

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