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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTU95N2LH5
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STU95N2LH5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STU95N2LH5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STU95N2LH5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STx95N2LH5.pdf
État RoHS
En stock: 4970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STU95N2LH5
STMicroelectronics - STU95N2LH5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STU95N2LH5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1817 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base STU95  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STU95N2LH5

Attributs du produit STU95N2LH5 STU8NM50N STU9N60M2 STU8N80K5
Modèle de produit STU95N2LH5 STU8NM50N STU9N60M2 STU8N80K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1817 pF @ 25 V 364 pF @ 50 V 320 pF @ 100 V 450 pF @ 100 V
Tension drain-source (Vdss) 25 V 500 V 600 V 800 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.4 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 40A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 780mOhm @ 3A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base STU95 STU8N STU9N60 STU8N80
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries STripFET™ V MDmesh™ II MDmesh™ II Plus SuperMESH5™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) I-PAK TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 5A (Tc) 5.5A (Tc) 6A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique STU95N2LH5 PDF

Téléchargez STU95N2LH5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STU95N2LH5 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx95N2LH5.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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