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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP8NS25FP
STP8NS25FP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP8NS25FP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP8NS25FP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP8NS25FP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STP8NS25(FP).pdf
État RoHS
En stock: 4790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP8NS25FP
STMicroelectronics - STP8NS25FP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP8NS25FP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STP8N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP8NS25FP

Attributs du produit STP8NS25FP STP8NM50N STP90N6F6 STP8NM60D
Modèle de produit STP8NS25FP STP8NM50N STP90N6F6 STP8NM60D
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 5A (Tc) 84A (Tc) 8A (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220 TO-220 TO-220
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51.8 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 74.9 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries MESH OVERLAY™ MDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 45W (Tc) 136W (Tc) 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 364 pF @ 50 V 4295 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STP8N STP8NM50 STP90N STP8N
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 6.8mOhm @ 38.5A, 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 250 V 500 V 60 V 600 V

Fiche technique STP8NS25FP PDF

Téléchargez STP8NS25FP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP8NS25FP - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STP8NS25(FP).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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STP8NS25FP

STMicroelectronics
32D-STP8NS25FP

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