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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP8NM50N
STP8NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP8NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP8NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP8NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(D,P)8NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 41278

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP8NM50N
STMicroelectronics - STP8NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP8NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 364 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP8NM50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP8NM50N

Attributs du produit STP8NM50N STP8NK85Z STP8NM60ND STP8NK100Z
Modèle de produit STP8NM50N STP8NK85Z STP8NM60ND STP8NK100Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 364 pF @ 50 V 1870 pF @ 25 V 560 pF @ 50 V 2180 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 850 V 600 V 1000 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 102 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 6.7A (Tc) 7A (Tc) 6.5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STP8NM50 STP8N STP8N STP8NK100
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries MDmesh™ II SuperMESH™ FDmesh™ II SuperMESH™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V 1.4Ohm @ 3.35A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 150W (Tc) 70W (Tc) 160W (Tc)

Fiche technique STP8NM50N PDF

Téléchargez STP8NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP8NM50N - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
ST(D,P)8NM50N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP8NM50N

STMicroelectronics
32D-STP8NM50N

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