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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP7N105K5
STP7N105K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP7N105K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP7N105K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP7N105K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx7N105K5.pdf
État RoHS
En stock: 28268

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP7N105K5
STMicroelectronics - STP7N105K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP7N105K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1050 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base STP7N105  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP7N105K5

Attributs du produit STP7N105K5 STP7N90K5 STP77N6F6 STP7N65M2
Modèle de produit STP7N105K5 STP7N90K5 STP77N6F6 STP7N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V 810mOhm @ 4A, 10V 7mOhm @ 38.5A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ K5 DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17.7 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STP7N105 STP7 STP77N STP7N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 100 V 425 pF @ 10 V 5300 pF @ 25 V 270 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 80W (Tc) 60W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 1050 V 900 V 60 V 650 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 7A (Tc) 77A (Tc) 5A (Tc)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STP7N105K5 PDF

Téléchargez STP7N105K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP7N105K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
STx7N105K5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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