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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP78NF55-08
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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STP78NF55-08 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP78NF55-08
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP78NF55-08
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V TO-220
Emballage
Fiche technique
STx78NF55-08.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4290

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STP78NF55-08
STMicroelectronics - STP78NF55-08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP78NF55-08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3740 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base STP78N  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP78NF55-08

Attributs du produit STP78NF55-08 STP7N95K3 STP78N75F4 STP7N65M2
Modèle de produit STP78NF55-08 STP7N95K3 STP78N75F4 STP7N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries STripFET™ II SuperMESH3™ DeepGATE™, STripFET™ MDmesh™
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 60W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 1.35Ohm @ 3.6A, 10V 11mOhm @ 39A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 7.2A (Tc) 78A (Tc) 5A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Numéro de produit de base STP78N STP7N95 STP78N STP7N
Tension drain-source (Vdss) 55 V 950 V 75 V 650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3740 pF @ 25 V 1031 pF @ 100 V 5015 pF @ 25 V 270 pF @ 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±25V

Fiche technique STP78NF55-08 PDF

Téléchargez STP78NF55-08 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP78NF55-08 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf Mult Devices OBS 29/Mar/2019.pdf
Feuilles de données
STx78NF55-08.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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